歡迎訪問揚州欣達電子有限公司網(wǎng)站! 關(guān)于我們 聯(lián)系我們

專注于薄膜開關(guān),薄膜面板等研發(fā)與生產(chǎn)

安全省心,有效控制成本

img

咨詢電話:

0514-86859177

img

咨詢電話:

13805251384

PRODUCT CENTER
產(chǎn)品中心
行業(yè)資訊
企業(yè)動態(tài)
技術(shù)文章
咨詢熱線

0514-86859177

技術(shù)文章

薄膜生長是過程的算法二鍵計數(shù)KMC

    該方法用原子遷移時的激活能來確定某一事件的發(fā)生概率。激活能由遷移原子初始位置的最近鄰的數(shù)目確定,或者由遷移原子初始位置最近鄰的數(shù)目和遷移目標位最近鄰的數(shù)目之差來確定。這種方法的優(yōu)點是在所建立的模型比較合理時,能夠準確地研究原子的環(huán)境變化。但是,激活能的計算并不是簡單地由遷移原子的初始環(huán)境和目標位置環(huán)境所決定,遷移過程中可能會出現(xiàn)能量變化的鞍點.由于這種方法實際上沒有考慮到遷移過程的中間狀態(tài),對激活能的計算看似合理但并不準確。