歡迎訪問揚(yáng)州欣達(dá)電子有限公司網(wǎng)站! 關(guān)于我們 聯(lián)系我們

專注于薄膜開關(guān),薄膜面板等研發(fā)與生產(chǎn)

安全省心,有效控制成本

img

咨詢電話:

0514-86859177

img

咨詢電話:

13805251384

PRODUCT CENTER
產(chǎn)品中心
行業(yè)資訊
企業(yè)動(dòng)態(tài)
技術(shù)文章
咨詢熱線

0514-86859177

技術(shù)文章

非晶態(tài)薄膜材料的薄膜生長也可以采取柱狀的生長方式

    非晶態(tài)薄膜材料的薄膜生長也可以采取柱狀的生長方式。如Si、SiO2等材料在較低的溫度下,都可以形成非晶的柱狀結(jié)構(gòu)。對(duì)Ge、Si等薄膜材料進(jìn)行深入研究時(shí),發(fā)現(xiàn)這類材料的柱狀形貌的發(fā)育可以被劃分為納米級(jí)的、顯微的,以及宏觀的三種柱狀組織。非晶態(tài)Ge薄膜中30%Au-70%Co合金薄膜是典型的非晶態(tài)薄膜,在平衡狀態(tài)下,這一成分的固態(tài)合金組織應(yīng)為Au,Co兩組元固溶體的混合物。為抑制晶體核心的形成,將襯底溫度降低至80K后進(jìn)行蒸發(fā)沉積。在沉積后將薄膜加熱至不同的溫度并觀察其組織變化。